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IRFR024NTRPBF +BOM

IRFR024NTRPBF is a N Channel MOSFET with a maximum voltage rating of 55V and a maximum current rating of 17A

IRFR024NTRPBF Descrizione generale

Featuring a compact TO-252AA package with lead-free, plastic construction, the IRFR024NTRPBF offers excellent thermal performance and reliability. The DPAK-3/2 footprint makes it easy to integrate into existing circuit designs, while the silicon construction ensures high switching speeds and low power dissipation

Caratteristiche principali

AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Source Content uid IRFR024NTRPBF Part Life Cycle Code Active
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 17 Weeks, 3 Days Additional Feature AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
Avalanche Energy Rating (Eas) 71 mJ Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 55 V
Drain Current-Max (ID) 17 A Drain-source On Resistance-Max 0.075 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JEDEC-95 Code TO-252AA
JESD-30 Code R-PSSO-G2 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 2 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 175 °C Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 45 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 68 A Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Terminal Form GULL WING Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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