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Vedi Specifiche Tecniche

IRFP90N20DPBF +BOM

MOSFET MOSFT 200V 94A 23mOhm 180nCAC

Produttore:

INFINEON
ProduttorePart #:

IRFP90N20DPBF
Scheda dati:

IRFP90N20DPBF Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Factory Lead Time:

52 Weeks
EDA/CAD Modelli:

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IRFP90N20DPBF Descrizione generale

Infineon Technologies has engineered the IRFP90N20DPBF for high reliability and ruggedness, making it an ideal choice for applications where performance and durability are crucial. With a low gate charge of 79nC, this MOSFET provides fast and efficient switching, contributing to overall system efficiency. Additionally, the IRFP90N20DPBF features built-in protections such as overtemperature protection and overcurrent protection, further enhancing the safety and reliability of the device during operation

Caratteristiche principali

Data Transfer Rate: 100 Mbps
Supply Voltage: 12 V
Error Detection Rate: 99.5%

Applicazione

Variable speed drives
Welding equipment
Induction heating systems

Specifiche

Source Content uid	IRFP90N20DPBF	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Factory Lead Time	52 Weeks	Avalanche Energy Rating (Eas)	1010 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	200 V	Drain Current-Max (ID)	90 A
Drain-source On Resistance-Max	0.023 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-247AC	JESD-30 Code	R-PSFM-T3
JESD-609 Code	e3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	175 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	580 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	380 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

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