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Vedi Specifiche Tecniche

IRFP4232PBF +BOM

High-voltage MOSFET for PDP applications

Produttore:

INFINEON
ProduttorePart #:

IRFP4232PBF
Scheda dati:

IRFP4232PBF Scheda dati (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

60A (Tc)
EDA/CAD Modelli:

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IRFP4232PBF Descrizione generale

N-Channel 250 V 60A (Tc) 430W (Tc) Through Hole TO-247AC

Caratteristiche principali

Advanced process technology

Key parameters optimized for PDP Sustain &

Energy Recovery applications

Low EPULSE rating to reduce the power

dissipation in Sustain & ER applications

Low QG for fast response

High repetitive peak current capability for

reliable operation

Short fall & rise times for fast switching

Specifiche

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	250 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	35.7mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	240 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7290 pF @ 25 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	430W (Tc)
Operating Temperature	-40°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole

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