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IRFP3703 +BOM

Power Field-Effect Transistor IRFP3703: N-Channel Silicon MOSFET, TO-247AC Package, 210A Drain Current, 30V Voltage Rating, 0.0039ohm On-Resistance

IRFP3703 Descrizione generale

From industrial machinery to consumer electronics, the IRFP3703 MOSFET offers a solid foundation for power control, ensuring stable and efficient operation. Its proven silicon processes and industry-leading design make it a standout choice for applications such as DC motors, inverters, and beyond. With the IRFP3703, designers can trust in a high-quality solution that delivers on performance and versatility

Specifiche

Part Life Cycle Code Not Recommended Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Additional Feature AVALANCHE RATED
Avalanche Energy Rating (Eas) 1700 mJ Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (ID) 210 A Drain-source On Resistance-Max 0.0039 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JEDEC-95 Code TO-247AC
JESD-30 Code R-PSFM-T3 JESD-609 Code e3
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 175 °C
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Pulsed Drain Current-Max (IDM) 1000 A
Qualification Status Not Qualified Surface Mount NO
Terminal Finish TIN Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

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