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Vedi Specifiche Tecniche

IRFM260 +BOM

Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line

Produttore:

INFINEON
ProduttorePart #:

IRFM260
Scheda dati:

IRFM260 Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

No
Part Life Cycle Code:

Transferred
Pin Count:

3
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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IRFM260 Descrizione generale

In conclusion, the IRFM260 power MOSFET stands out for its superior performance, reliability, and versatility in various applications. Its robust design and advanced features make it a top choice for engineers and developers seeking high-power solutions that deliver optimal performance and efficiency

Caratteristiche principali

Simple Drive Requirements
Ease of Paralleling
Hermetically Sealed
Electrically Isolated
Dynamic dv/dt Rating
Light-weight

Specifiche

Pbfree Code	No	Part Life Cycle Code	Transferred
Pin Count	3	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Additional Feature	HIGH RELIABILITY
Avalanche Energy Rating (Eas)	700 mJ	Case Connection	ISOLATED
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	200 V
Drain Current-Max (ID)	35 A	Drain-source On Resistance-Max	0.068 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-254AA
JESD-30 Code	S-XSFM-P3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	140 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Form	PIN/PEG	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..