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IRFL4315TRPBF +BOM

HEXFET® technology utilized in this power MOSFET offers high efficiency and reliable performance

Produttore:

INFINEON
ProduttorePart #:

IRFL4315TRPBF
Scheda dati:

IRFL4315TRPBF Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
Factory Lead Time:

53 Weeks, 1 Day
EDA/CAD Modelli:

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IRFL4315TRPBF Descrizione generale

In a compact TO-262 package, the IRFL4315TRPBF is easy to mount on a PCB and provides excellent thermal performance. With a maximum junction temperature of 175°C, this MOSFET can handle even the most demanding conditions with ease. The low input capacitance of 1350pF reduces switching losses and improves efficiency in high frequency applications, making it a standout choice for any project requiring precision and performance. RoHS compliant and environmentally friendly, the IRFL4315TRPBF is a sustainable option for a wide range of applications

Caratteristiche principali

Epoxy-free encapsulation
Low voltage drop
High surge current

Applicazione

Battery charging
Automotive systems
Audio amplifiers

Specifiche

Source Content uid	IRFL4315TRPBF	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Factory Lead Time	53 Weeks, 1 Day	Avalanche Energy Rating (Eas)	38 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	150 V	Drain Current-Max (ID)	2.6 A
Drain-source On Resistance-Max	0.185 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-261AA	JESD-30 Code	R-PSSO-G3
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	2.8 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	21 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	MATTE TIN
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

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