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IRFL4310TRPBF +BOM

Transistor metal oxide semiconductor field-effect transistor with a maximum voltage of 100V and a current capability of 2.2A in SOT-223 packaging

IRFL4310TRPBF Descrizione generale

The IRFL4310TRPBF stands out for its combination of high performance and reliability. Its compact DPAK package allows for easy mounting and soldering on a PCB, making it convenient to work with. The MOSFET's fast switching speed and low gate charge are ideal for applications where efficiency and performance are crucial. Additionally, its high avalanche energy rating means it can withstand demanding operating conditions, providing peace of mind for designers and engineers

Caratteristiche principali

HIGH RELIABILITY

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Source Content uid IRFL4310TRPBF Part Life Cycle Code Active
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 52 Weeks Additional Feature HIGH RELIABILITY
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 100 V Drain Current-Max (ID) 1.6 A
Drain-source On Resistance-Max 0.2 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-261AA JESD-30 Code R-PSSO-G3
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Operating Temperature-Min -55 °C Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 1 W
Qualification Status Not Qualified Surface Mount YES
Terminal Finish MATTE TIN Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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