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IRF9631 +BOM

Transistor

IRF9631 Descrizione generale

FEATURES• Low RDS(on)• Improved inductive ruggedness• Fsat switching times• Rugged polysilicon gate cell structure• Low input capacitance• Extended safe operating area• Improved high temperature reliability

Specifiche

Part Life Cycle Code Obsolete Pin Count 3
Reach Compliance Code ECCN Code EAR99
Configuration SINGLE Drain Current-Max (ID) 4 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JESD-609 Code e0
Number of Elements 1 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 75 W Surface Mount NO
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)

Politiche di servizio e altro

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