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IRF7103TRPBF +BOM

N-Channel Silicon Power MOSFET with 3A current rating

IRF7103TRPBF Descrizione generale

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Dual / Continuous Drain Current (Id) A = 3 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 50 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 130 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 25 / Rise Time ns = 8 / Turn-OFF Delay Time ns = 45 / Turn-ON Delay Time ns = 9 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SO-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2

Caratteristiche principali

LOGIC LEVEL COMPATIBLE

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Source Content uid IRF7103TRPBF Part Life Cycle Code Active
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 53 Weeks, 1 Day Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 50 V
Drain Current-Max (ID) 3 A Drain-source On Resistance-Max 0.13 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JESD-30 Code R-PDSO-G8
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 2 Number of Terminals 8
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 2 W Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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