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MOSFT technology
TSOP-6Produttore:
ProduttorePart #:
IRF5810TRPBF
Scheda dati:
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:
2 P-Channel (Dual)
FET Feature:
Logic Level Gate
Drain To Source Voltage (Vdss):
20V
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The IRF5810TRPBF MOSFET boasts a dual P-channel configuration and is rated for a drain-source voltage (Vds) of -20V, allowing for robust performance in various electronic applications. Its continuous drain current (Id) capability of -2.9A ensures reliable operation under moderate to heavy loads. With an on-resistance (Rds(on)) of 90mohm at a test voltage (Vgs) of -4.5V, this MOSFET minimizes power dissipation and enhances overall efficiency. Housed in a TSOP-6 package, it offers space-saving benefits without compromising performance. Furthermore, its compliance with RoHS regulations underscores its commitment to environmental sustainability, making it an ideal choice for eco-conscious designs
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Configuration | 2 P-Channel (Dual) |
FET Feature | Logic Level Gate | Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 2.9A, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 16V | Power - Max | 960mW |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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