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IRF5810 is a small signal P-Channel silicon FET with a 2-Element design capable of handling 2.9A current and operating at 20V
6-TSOPProduttore:
ProduttorePart #:
IRF5810
Scheda dati:
Part Life Cycle Code:
Obsolete
Reach Compliance Code:
not_compliant
ECCN Code:
EAR99
Configuration:
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
EDA/CAD Modelli:
Invia tutte le distinte materiali a
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Mosfet Array 20V 2.9A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Source Content uid | IRF5810 | Part Life Cycle Code | Obsolete |
Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 20 V |
Drain Current-Max (ID) | 2.9 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.09 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | MO-193AA |
JESD-30 Code | R-PDSO-G6 | JESD-609 Code | e0 |
Moisture Sensitivity Level | 2 | Number of Elements | 2 |
Number of Terminals | 6 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 0.96 W | Qualification Status | Not Qualified |
Surface Mount | YES | Terminal Finish | TIN LEAD |
Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | DUAL |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..
Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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