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IRF5210SPBF +BOM

The IRF5210SPBF is a P-Channel MOSFET known for its -100V voltage rating

Produttore:

INFINEON
ProduttorePart #:

IRF5210SPBF
Scheda dati:

IRF5210SPBF Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
Additional Feature:

HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
EDA/CAD Modelli:

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IRF5210SPBF Descrizione generale

P-Channel 100 V 38A (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK

Caratteristiche principali

Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance 150°C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Some Parameters are Different from IRF5210S/L P-Channel Lead-Free

Specifiche

Source Content uid	IRF5210SPBF	Part Life Cycle Code	Obsolete
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Additional Feature	HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE	Avalanche Energy Rating (Eas)	120 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	100 V	Drain Current-Max (ID)	38 A
Drain-source On Resistance-Max	0.06 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-263AB	JESD-30 Code	R-PSSO-G2
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	P-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	170 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	140 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	MATTE TIN OVER NICKEL
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

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