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IRF4905PBF +BOM

MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB

Produttore:

INFINEON
ProduttorePart #:

IRF4905PBF
Scheda dati:

IRF4905PBF Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Factory Lead Time:

18 Weeks, 2 Days
EDA/CAD Modelli:

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IRF4905PBF Descrizione generale

P-channel MOSFET,IRF4905 64A 55V

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Source Content uid	IRF4905PBF	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Factory Lead Time	18 Weeks, 2 Days	Avalanche Energy Rating (Eas)	930 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	55 V	Drain Current-Max (ID)	74 A
Drain-source On Resistance-Max	0.02 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)	640 pF	JEDEC-95 Code	TO-220AB
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	JESD-609 Code	e3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	175 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	250
Polarity/Channel Type	P-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	200 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	260 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Finish	MATTE TIN OVER NICKEL
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON	Series	HEXFET®
FET Type	P-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	74A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	180 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3400 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	200W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	IRF4905

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