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IRF3710S +BOM

Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

IRF3710S Descrizione generale

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.

Specifiche

Pbfree Code No Part Life Cycle Code Transferred
Pin Count 3 Reach Compliance Code
ECCN Code EAR99 Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
Avalanche Energy Rating (Eas) 280 mJ Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 100 V
Drain Current-Max (ID) 57 A Drain-source On Resistance-Max 0.023 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JEDEC-95 Code TO-263AB
JESD-30 Code R-PSSO-G2 JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 2 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 175 °C Peak Reflow Temperature (Cel) 225
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 150 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 180 A Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Form GULL WING Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

Politiche di servizio e altro

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