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IRF2807ZS +BOM

TO-263AB Plastic D2PAK-3 packaging

IRF2807ZS Descrizione generale

When it comes to applications requiring ruggedness and reliability, the IRF2807ZS from the StrongIRFET™ family stands out as a top choice. This power MOSFET is engineered to offer superior performance while handling high currents with ease. From inverters to DC-DC converters, this device is versatile and dependable for a wide range of power management needs

Caratteristiche principali

  • Advanced Process Technology
  • Ultra Low On-Resistance
  • Dynamic dv/dt Rating
  • 175°C Operating Temperature
  • Fast Switching
  • Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

Specifiche

Part Life Cycle Code Not Recommended Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Avalanche Energy Rating (Eas) 200 mJ Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 75 V
Drain Current-Max (ID) 75 A Drain-source On Resistance-Max 0.0094 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JEDEC-95 Code TO-263AB
JESD-30 Code R-PSSO-G2 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Pulsed Drain Current-Max (IDM) 350 A
Surface Mount YES Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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