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Vedi Specifiche Tecniche

IPW90R800C3 +BOM

Tube Packaged N-Channel 900V MOSFET

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

IPW90R800C3
Scheda dati:

IPW90R800C3 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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IPW90R800C3 Descrizione generale

N-Channel 900 V 6.9A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1

Caratteristiche principali

Lowest figure-of-merit RON x Qg
Extreme dv/dt rated
High peak current capability
Qualified according to JEDEC1) for target applications
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Ultra low gate charge

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	900 V
Id - Continuous Drain Current	6.9 A	Rds On - Drain-Source Resistance	620 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.5 V
Qg - Gate Charge	42 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	104 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	CoolMOS
Series	CoolMOS C3	Configuration	Single
Fall Time	32 ns	Height	21.1 mm
Length	16.13 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	20 ns	Factory Pack Quantity	240
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	400 ns	Typical Turn-On Delay Time	70 ns
Width	5.21 mm	Part # Aliases	SP000413758 IPW9R8C3XK IPW90R800C3FKSA1
Unit Weight	0.211644 oz

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