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IPW65R420CFD +BOM

MOSFET N-Ch 650V 8.7A TO247-3 CoolMOS CFD2

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

IPW65R420CFD
Scheda dati:

IPW65R420CFD Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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IPW65R420CFD Descrizione generale

N-Channel 650 V 8.7A (Tc) 83.3W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	650 V
Id - Continuous Drain Current	8.7 A	Rds On - Drain-Source Resistance	420 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4 V
Qg - Gate Charge	32 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	83.3 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	CoolMOS
Series	CoolMOS CFD2	Configuration	Single
Fall Time	8 ns	Height	21.1 mm
Length	16.13 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	7 ns	Factory Pack Quantity	240
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Width	5.21 mm	Part # Aliases	IPW65R420CFDFKSA1 SP000890686 IPW65R420CFDFKSA1
Unit Weight	0.211644 oz

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