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IPW65R150CFDA +BOM

Automotive MOSFET IPW65R150CFDA

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

IPW65R150CFDA
Scheda dati:

IPW65R150CFDA Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Height:

21.1 mm
Length:

16.13 mm
EDA/CAD Modelli:

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IPW65R150CFDA Descrizione generale

The IPW65R150CFDA transistor offers excellent switching characteristics and high power handling capabilities, making it a reliable choice for demanding power electronics applications. Its compact design and high efficiency make it a preferred choice for designers looking to optimize performance in limited space. With its advanced technology and robust construction, this transistor provides long-term reliability and performance

Caratteristiche principali

Ultra-fast body diode
Very high commutation ruggedness
Extremely low losses due to very low FOM RdsonQg and Eoss
Easy to use/drive
Qualified according to AEC Q101
(J-STD20 and JESD22)
Green package (RoHS compliant), Pb-free plating, Halogen free mold
compound

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Height	21.1 mm
Length	16.13 mm	Product Type	MOSFET
Subcategory	MOSFETs	Width	5.21 mm
Unit Weight	0.211644 oz	IDpuls max	72.0 A
RthJA max	62.0 K/W	RthJC max	0.64 K/W
Mounting	THT	Ptot max	195.3 W
Topology	Full Bridge	Special Features	automotive
Qualification	Automotive	VDS max	650.0 V
VGS(th) max	4.5 V	Polarity	N
ID max	22.4 A	VGS(th) min	3.5 V
Operating Temperature max	150.0 °C	Operating Temperature min	-40.0 °C
RDS (on) max	150.0 mΩ	QG max	86.0 nC

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