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Vedi Specifiche Tecniche

IPW65R110CFD +BOM

N-Channel MOSFET Transistor

Produttore:

INFINEON
ProduttorePart #:

IPW65R110CFD
Scheda dati:

IPW65R110CFD Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelli:

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IPW65R110CFD Descrizione generale

Whether you are building industrial machinery or automotive electronics, the IPW65R110CFD transistor is a versatile component that can enhance the efficiency and reliability of your design. Its single-element design simplifies installation and reduces the overall complexity of the circuit layout

Caratteristiche principali

Ultra-fast body diode
Very high commutation ruggedness
Extremely low losses due to very low FOM Rdson^Qg and Eoss
Easy to use/drive
Qualified for industrial grade applications according to JEDEC
(J-STD20 and JESD22)
Pb-free plating, Halogen free mold compound

Specifiche

Source Content uid	IPW65R110CFD	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Pin Count	3
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas)	845 mJ	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	650 V	Drain Current-Max (ID)	31.2 A
Drain-source On Resistance-Max	0.11 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-247	JESD-30 Code	R-PSFM-T3
JESD-609 Code	e3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Operating Temperature-Min	-55 °C
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	277.8 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	99.6 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Finish	TIN
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..