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IPW65R070C6FKSA1 +BOM

N-Channel 650 V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

IPW65R070C6FKSA1
Scheda dati:

IPW65R070C6FKSA1 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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IPW65R070C6FKSA1 Descrizione generale

N-Channel 650 V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	650 V
Id - Continuous Drain Current	53.5 A	Rds On - Drain-Source Resistance	63 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.5 V
Qg - Gate Charge	170 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	391 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	CoolMOS
Series	CoolMOS C6	Configuration	Single
Fall Time	6 ns	Height	21.1 mm
Length	16.13 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	17 ns	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	90 ns
Typical Turn-On Delay Time	17 ns	Width	5.21 mm
Part # Aliases	IPW65R070C6 SP000745034	Unit Weight	0.211644 oz

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