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IPW65R018CFD7XKSA1 +BOM

N-Channel 650 V 106A (Tc) 446W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

IPW65R018CFD7XKSA1
Scheda dati:

IPW65R018CFD7XKSA1 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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IPW65R018CFD7XKSA1 Descrizione generale

N-Channel 650 V 106A (Tc) 446W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	700 V
Id - Continuous Drain Current	106 A	Rds On - Drain-Source Resistance	18 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4.5 V
Qg - Gate Charge	234 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	446 W
Channel Mode	Enhancement	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	240	Subcategory	MOSFETs
Part # Aliases	IPW65R018CFD7 SP005413353

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