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IPW60R024P7 +BOM

High power 600V semiconductor device with low on-resistance

Produttore:

infineon
ProduttorePart #:

IPW60R024P7
Scheda dati:

IPW60R024P7 Scheda dati (PDF)
ID Max:

101.0 A
IDpuls Max:

386.0 A
Mounting:

THT
Ptot Max:

291.0 W
EDA/CAD Modelli:

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IPW60R024P7 Descrizione generale

Infineon Technologies' IPW60R024P7 power MOSFET is the go-to solution for engineers and designers seeking a reliable and efficient semiconductor device for their high-power applications. Boasting a breakdown voltage of 60V and a continuous drain current of 100A, this MOSFET excels in power electronics systems where performance and durability are crucial. With its advanced PowerMOS technology, the IPW60R024P7 offers low on-state resistance and high switching speeds, guaranteeing superior efficiency and optimal performance in power systems requiring high power density and dependability

Specifiche

ID max	101.0 A	IDpuls max	386.0 A
Mounting	THT	Ptot max	291.0 W
Polarity	N	RDS (on) max	24.0 mΩ
VDS max	600.0 V	VGS(th) max	4.0 V
VGS(th) min	3.0 V	Operating Temperature max	150.0 °C
Operating Temperature min	-55.0 °C

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