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IPT60R028G7XTMA1 +BOM

INFINEON IPT60R028G7XTMA1 is a power MOSFET featuring N-channel configuration

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

IPT60R028G7XTMA1
Scheda dati:

IPT60R028G7XTMA1 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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IPT60R028G7XTMA1 Descrizione generale

When it comes to high-power applications, the IPT60R028G7XTMA1 MOSFET from Infineon is a top choice. Featuring a N channel design, this MOSFET can handle a drain source voltage of 600V and a continuous drain current of 75A, ensuring reliable performance in demanding environments. Its Hsof-8 package allows for easy surface mounting, making it suitable for various electronic systems. The Rds(On) test voltage of 10V ensures low power dissipation and efficient operation, while the gate source threshold voltage max of 4V provides accurate control over the switching behavior. Moreover, this MOSFET is RoHS compliant, meeting international standards for environmentally friendly manufacturing practices

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Id - Continuous Drain Current	75 A	Rds On - Drain-Source Resistance	28 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Qg - Gate Charge	123 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	391 W
Channel Mode	Enhancement	Series	CoolMOS G7
Configuration	Single	Fall Time	2.8 ns
Product Type	MOSFET	Rise Time	9 ns
Factory Pack Quantity	2000	Subcategory	MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time	100 ns	Typical Turn-On Delay Time	28 ns
Part # Aliases	IPT60R028G7 SP001579312	Unit Weight	0.027197 oz

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