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IPT059N15N3 +BOM

Infineon IPT059N15N3 N-channel MOSFET Transistor, 155 A, 150 V, 8-Pin HSOF

IPT059N15N3 Descrizione generale

N-Channel 150 V 155A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1

Specifiche

Source Content uid IPT059N15N3 Pbfree Code No
Part Life Cycle Code Active Pin Count 8
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas) 520 mJ Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 150 V
Drain Current-Max (ID) 155 A Drain-source On Resistance-Max 0.0059 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JESD-30 Code R-PSSO-F2
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 175 °C
Operating Temperature-Min -55 °C Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 375 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 620 A
Surface Mount YES Terminal Finish TIN
Terminal Form FLAT Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON

Politiche di servizio e altro

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