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IPT020N10N3 +BOM

High voltage and high current transistor MOSFET

Produttore:

INFINEON
ProduttorePart #:

IPT020N10N3
Scheda dati:

IPT020N10N3 Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

No
Part Life Cycle Code:

Not Recommended
Pin Count:

8
Reach Compliance Code:

not_compliant
EDA/CAD Modelli:

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IPT020N10N3 Descrizione generale

N-Channel 100 V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1

Specifiche

Source Content uid	IPT020N10N3	Pbfree Code	No
Part Life Cycle Code	Not Recommended	Pin Count	8
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Additional Feature	ULTRA LOW RESISTANCE	Avalanche Energy Rating (Eas)	800 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	100 V	Drain Current-Max (ID)	300 A
Drain-source On Resistance-Max	0.002 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	R-PSSO-F8	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	8	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	1200 A
Surface Mount	YES	Terminal Finish	TIN
Terminal Form	FLAT	Terminal Position	SINGLE
Transistor Element Material	SILICON

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