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IPT014N10N5ATMA1 +BOM

Trans MOSFET N-CH 100V 36A T/R

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

IPT014N10N5ATMA1
Scheda dati:

IPT014N10N5ATMA1 Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

100 V
EDA/CAD Modelli:

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IPT014N10N5ATMA1 Descrizione generale

100 V 362A Surface Mount PG-HSOF-8-1

Specifiche

Product Category	MOSFET	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V	Id - Continuous Drain Current	362 A
Rds On - Drain-Source Resistance	1.4 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.2 V	Qg - Gate Charge	169 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	375 W	Channel Mode	Enhancement
Series	IPT014N10	Configuration	Single
Fall Time	30 ns	Forward Transconductance - Min	140 S
Product Type	MOSFET	Rise Time	30 ns
Factory Pack Quantity	2000	Subcategory	MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time	85 ns	Typical Turn-On Delay Time	36 ns
Part # Aliases	IPT014N10N5 SP005736726

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