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IPT007N06N +BOM

Robust and reliable power semiconductor device for industrial control and automation

IPT007N06N Descrizione generale

N-Channel 60 V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1

Caratteristiche principali

  • 100% avalanche tested
  • Superior thermal resistance
  • N-channel
  • Qualified according to JEDEC 1) for target applications
  • Pb-free lead  plating; RoHS compliant
  • Halogen-free according to IEC61249-2-21

Specifiche

Source Content uid IPT007N06N Pbfree Code No
Part Life Cycle Code Active Pin Count 8
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas) 1100 mJ Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (ID) 52 A Drain-source On Resistance-Max 0.00075 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JESD-30 Code R-PSSO-F8
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 8
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 1200 A Surface Mount YES
Terminal Finish TIN Terminal Form FLAT
Terminal Position SINGLE Transistor Element Material SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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