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IPP023NE7N3 G N Channel Power MOSFET 75V 100A
TO-220Produttore:
ProduttorePart #:
IPP023NE7N3G
Scheda dati:
Pbfree Code:
Yes
Part Life Cycle Code:
Active
Pin Count:
3
Reach Compliance Code:
compliant
EDA/CAD Modelli:
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
Source Content uid | IPP023NE7N3G | Pbfree Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Active | Pin Count | 3 |
Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 1100 mJ | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 75 V | Drain Current-Max (ID) | 120 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0023 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95 Code | TO-220AB | JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
JESD-609 Code | e3 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 175 °C | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 300 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 480 A |
Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | NO |
Terminal Finish | TIN | Terminal Form | THROUGH-HOLE |
Terminal Position | SINGLE | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON | Series | OptiMOS™ 3 |
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 100A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 273µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14400 pF @ 37.5 V |
Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Base Product Number | IPP023N |
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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