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IPG20N06S2L-35 +BOM

Automotive-grade N-channel MOSFET suitable for high power applications

IPG20N06S2L-35 Descrizione generale

Mosfet Array 55V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-4

Specifiche

Source Content uid IPG20N06S2L-35 Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Pin Count 8
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE Avalanche Energy Rating (Eas) 100 mJ
Case Connection DRAIN Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 55 V Drain Current-Max (ID) 20 A
Drain-source On Resistance-Max 0.035 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-F8 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 2
Number of Terminals 8 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 175 °C Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 65 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 80 A Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish TIN
Terminal Form FLAT Terminal Position DUAL
Transistor Element Material SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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