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Vedi Specifiche Tecniche

IPD90N04S4-04 +BOM

MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

Produttore:

INFINEON
ProduttorePart #:

IPD90N04S4-04
Scheda dati:

IPD90N04S4-04 Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

No
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

4
Reach Compliance Code:

not_compliant
EDA/CAD Modelli:

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IPD90N04S4-04 Descrizione generale

Designed to meet industry standards for quality and performance, the IPD90N04S4-04 transistor is a cost-effective solution for demanding electronics applications. Its low on-state resistance minimizes power losses and improves overall efficiency, making it a preferred choice among design engineers. The TO-252 package offers convenient installation and mounting options, while the green plastic material enhances the aesthetics of the device for a professional finish

Caratteristiche principali

N-channel - Enhancement mode
AEC qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green Product (RoHS compliant)
100% Avalanche tested

Specifiche

Source Content uid	IPD90N04S4-04	Pbfree Code	No
Part Life Cycle Code	Active	Pin Count	4
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas)	95 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	40 V
Drain Current-Max (ID)	90 A	Drain-source On Resistance-Max	0.0041 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-252
JESD-30 Code	R-PSSO-G2	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	175 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	71 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	360 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	TIN
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	SINGLE
Transistor Element Material	SILICON

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