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IPD200N15N3G +BOM

effect transistor with N-channel configuration, 50A current rating, 150V voltage rating, and 0.02ohm resistance

Produttore:

INFINEON
ProduttorePart #:

IPD200N15N3G
Scheda dati:

IPD200N15N3G Scheda dati (PDF)
IDpuls Max:

200.0 A
Ptot Max:

150.0 W
VDS Max:

150.0 V
Polarity:

N
EDA/CAD Modelli:

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IPD200N15N3G Descrizione generale

N-Channel 150 V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Caratteristiche principali

N-channel, normal level
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Very low on-resistance R DS(on)
175 °C operating temperature
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Qualified according to JEDEC1) for target application
Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
Halogen-free according to IEC61249-2-21

Specifiche

IDpuls max	200.0 A	Ptot max	150.0 W
VDS max	150.0 V	Polarity	N
RDS (on) max	20.0 mΩ	ID max	50.0 A
VGS(th) max	4.0 V	VGS(th) min	2.0 V
Operating Temperature max	175.0 °C	Operating Temperature min	-55.0 °C
Series	OptiMOS™	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 50A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1820 pF @ 75 V	Power Dissipation (Max)	150W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	IPD200N

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