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Advanced Transistor technology provides high switching speed, low noise, and excellent reliability for harsh environments
TO-252-3Produttore:
ProduttorePart #:
IPD082N10N3G
Scheda dati:
VDS Max:
100.0 V
Ptot Max:
125.0 W
IDpuls Max:
320.0 A
RthJC Max:
1.2 K/W
EDA/CAD Modelli:
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MOSFET N Channel 100V 80A 3.5V @ 75uA 8.6mΩ @ 73A,10V TO-252-2(DPAK) RoHS
VDS max | 100.0 V | Ptot max | 125.0 W |
IDpuls max | 320.0 A | RthJC max | 1.2 K/W |
RthJA max | 62.0 K/W | Polarity | N |
Mounting | SMD | RDS (on) max | 8.2 mΩ |
ID max | 80.0 A | VGS(th) max | 3.5 V |
VGS(th) min | 2.0 V | Operating Temperature max | 175.0 °C |
Operating Temperature min | -55.0 °C |
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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..
Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $1,805 | $1,80 |
10+ | $1,571 | $15,71 |
30+ | $1,426 | $42,78 |
100+ | $1,152 | $115,20 |
500+ | $1,086 | $543,00 |
1000+ | $1,057 | $1.057,00 |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.