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Infineon IPD053N08N3G N-channel MOSFET Transistor, 90 A, 80 V, 3-Pin TO-252
TO-252-3Produttore:
ProduttorePart #:
IPD053N08N3G
Scheda dati:
Pbfree Code:
Yes
Part Life Cycle Code:
Active
Pin Count:
4
Reach Compliance Code:
not_compliant
EDA/CAD Modelli:
Invia tutte le distinte materiali a
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 80V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, GREEN, PLASTIC, TO-252, 3 PIN
Source Content uid | IPD053N08N3G | Pbfree Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Active | Pin Count | 4 |
Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 190 mJ | Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 80 V |
Drain Current-Max (ID) | 90 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.0053 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | TO-252AA |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 | JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 2 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 175 °C | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 150 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 360 A | Qualification Status | Not Qualified |
Surface Mount | YES | Terminal Finish | TIN |
Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | SINGLE |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..
Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $1,814 | $1,81 |
10+ | $1,533 | $15,33 |
30+ | $1,355 | $40,65 |
100+ | $1,175 | $117,50 |
500+ | $1,094 | $547,00 |
1000+ | $1,058 | $1.058,00 |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.