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IPB180N03S4L-01 +BOM

N-Channel 30 V 180A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3

IPB180N03S4L-01 Descrizione generale

N-Channel 30 V 180A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3

Caratteristiche principali

N-channel, normal level

Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

Very low on-resistance R DS(on)

175 C operating temperature

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Qualified according to AEC Q101

Halogen-free according to IEC61249-2-21

Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

Specifiche

Pbfree Code Yes Part Life Cycle Code Active
Pin Count 3 Reach Compliance Code
Additional Feature ULTRA-LOW RESISTANCE Avalanche Energy Rating (Eas) 530 mJ
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 30 V Drain Current-Max (ID) 180 A
Drain-source On Resistance-Max 0.00105 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-263 JESD-30 Code R-PSSO-G6
Moisture Sensitivity Level NOT SPECIFIED Number of Elements 1
Number of Terminals 6 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 720 A Qualification Status COMMERCIAL
Surface Mount YES Terminal Finish NOT SPECIFIED
Terminal Form GULL WING Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED Transistor Element Material SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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