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Vedi Specifiche Tecniche

IPB048N15N5LFATMA1 +BOM

Type: Field Effect Transistor (FET)

Produttore:

INFINEON
ProduttorePart #:

IPB048N15N5LFATMA1
Scheda dati:

IPB048N15N5LFATMA1 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
Factory Lead Time:

53 Weeks, 1 Day
EDA/CAD Modelli:

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IPB048N15N5LFATMA1 Descrizione generale

The OptiMOS Linear FET excels in reducing conduction losses, resulting in improved overall system efficiency. With the ability to handle higher in-rush currents, this product enables faster start-up times and minimizes downtime, enhancing overall operational efficiency

Caratteristiche principali

Ideal for hot-swap and e-fuse applications

Very low on-resistance RDS(on)

Wide safe operating area SOA

N-channel; Normal level

100% Avalanche tested

Pb-free plating; RoHS compliant

Qualified according to JEDEC1) for target applications

Halogen-free according to IEC61249-2-21

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	53 Weeks, 1 Day
Avalanche Energy Rating (Eas)	30 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	150 V
Drain Current-Max (ID)	120 A	Drain-source On Resistance-Max	0.0048 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	Feedback Cap-Max (Crss)	23 pF
JEDEC-95 Code	TO-263AB	JESD-30 Code	R-PSSO-G2
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	313 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	480 A	Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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