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IPB019N08N3 G +BOM

MOSFET N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

Produttore:

INFINEON
ProduttorePart #:

IPB019N08N3 G
Scheda dati:

IPB019N08N3 G Scheda dati (PDF)
Series:

OptiMOS™
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

80 V
EDA/CAD Modelli:

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IPB019N08N3 G Descrizione generale

N-Channel 80 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	OptiMOS™
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 270µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	206 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	14200 pF @ 40 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	300W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	IPB019

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