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IPB017N10N5LF +BOM

Robust, high-power transistor with low RDS(on) suitable for power supply units, motor drives, and other high-current switching circuit

Produttore:

INFINEON
ProduttorePart #:

IPB017N10N5LF
Scheda dati:

IPB017N10N5LF Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas):

979 mJ
EDA/CAD Modelli:

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IPB017N10N5LF Descrizione generale

The IPB017N10N5LF OptiMOS™ Linear FET represents a new era in power semiconductor technology, offering a unique solution to the age-old challenge of balancing on-state resistance and linear mode capability. Through its innovative design and operation in the saturation region, this FET delivers exceptional performance that surpasses traditional trench and planar MOSFETs. By harnessing the benefits of both technologies, users can achieve optimal results in their power management applications

Specifiche

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Avalanche Energy Rating (Eas)	979 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	100 V	Drain Current-Max (ID)	180 A
Drain-source On Resistance-Max	0.0017 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-263	JESD-30 Code	R-PSSO-G6
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	6
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	313 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	720 A
Surface Mount	YES	Terminal Finish	TIN
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	SINGLE
Transistor Element Material	SILICON

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