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2N6517 +BOM

NPN Bipolar Junction Transistor

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

2N6517
Scheda dati:

2N6517 Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

350 V
EDA/CAD Modelli:

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2N6517 Descrizione generale

The High Voltage PNP Bipolar Transistor is designed for general purpose switching applications. The device is housed in the TO-92 package, which is designed for medium power applications.

Replacement active OPN: 2N6517 (Legacy Fairchild)

https://www.onsemi.com/products/discretes-drivers/general-purpose-and-low-vcesat-transistors/2n6517-legacy-fairchild

Caratteristiche principali

New Package Design for Enhanced Reliability
Improved Thermal Performance and Low Saturation Current
Ruggedized Construction and High Surge Immunity
High-Speed Switching and Fast Recovery Time
Excellent Frequency Response and High-Gain Bandwidth
Silicon-Germanium Heterostructure for Better Performance

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	350 V	Collector- Base Voltage VCBO	350 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1 V
Maximum DC Collector Current	500 mA	Pd - Power Dissipation	625 mW
Gain Bandwidth Product fT	40 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	2N6517
Continuous Collector Current	500 mA	DC Current Gain hFE Max	20 at 1 mA, 10 V
Height	4.01 mm	Length	4.77 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	2.41 mm
Unit Weight	0.016000 oz

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