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2N5962 +BOM

Compact low-noise transistor ideal for radio frequency application

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

2N5962
Scheda dati:

2N5962 Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

45 V
EDA/CAD Modelli:

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2N5962 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 625 mW Through Hole TO-92-3

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	45 V	Collector- Base Voltage VCBO	45 V
Emitter- Base Voltage VEBO	8 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	200 mV
Maximum DC Collector Current	100 mA	Pd - Power Dissipation	625 mW
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	2N5962	Continuous Collector Current	100 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min	600	DC Current Gain hFE Max	1400
Height	5.33 mm	Length	5.2 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	2000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	4.19 mm	Part # Aliases	2N5962_NL
Unit Weight	0.007090 oz

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