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2N3703 +BOM

Bipolar Junction Transistor, TO-92 Package, PNP Type

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

2N3703
Scheda dati:

2N3703 Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

30 V
EDA/CAD Modelli:

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2N3703 Descrizione generale

One standout feature of the 2N3703 is its low collector-emitter saturation voltage, ensuring efficient switching operations without significant power loss. This attribute makes it a go-to choice for applications requiring quick on/off transitions. Moreover, with a low noise figure and high current gain, this transistor excels in low-power amplifier setups

Caratteristiche principali

High-speed switching device
Low voltage applications suitable
Power amplifier transistors available

Applicazione

Electronic relays
Signal amplification
Multivibrator circuits

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	30 V	Collector- Base Voltage VCBO	50 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Maximum DC Collector Current	500 mA
Pd - Power Dissipation	625 mW	Gain Bandwidth Product fT	100 MHz
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Continuous Collector Current	500 mA	DC Collector/Base Gain hfe Min	30
DC Current Gain hFE Max	150	Height	4.58 mm
Length	4.58 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	2000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	3.86 mm
Unit Weight	0.008466 oz

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