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ZHB6718TA +BOM

Dual NPN/PNP Bipolar Array with a 20V Voltage Rating and 2.5A Current Capacity

Produttore:

Diodes Incorporated
ProduttorePart #:

ZHB6718TA
Scheda dati:

ZHB6718TA Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

2 NPN, 2 PNP (H-Bridge)
Current - Collector (Ic) (Max):

2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

200mV @ 50mA, 2.5A
EDA/CAD Modelli:

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ZHB6718TA Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge) 20V 2.5A 140MHz 1.25W Surface Mount SM8

Caratteristiche principali

BJT H-Bridge
2 x NPN + 2 x PNP
IC = 2.5A Continuous Collector Current
NPN Transistor
BVCEO> 20V
Low Saturation Voltage VCE(sat) <150mV @ 1A
PNP Transistor
BVCEO> -20V
Low Saturation Voltage VCE(sat) <-200mV @ -1A
Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Specifiche

Transistor Type	2 NPN, 2 PNP (H-Bridge)	Current - Collector (Ic) (Max)	2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	20V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	200mV @ 50mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2A, 2V
Power - Max	1.25W	Frequency - Transition	140MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	ZHB6718

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