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VQ1006P +BOM

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

Produttore:

VISHAY
ProduttorePart #:

VQ1006P
Scheda dati:

VQ1006P Scheda dati (PDF)
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

4 N-Channel
FET Feature:

Logic Level Gate
Drain To Source Voltage (Vdss):

90V
EDA/CAD Modelli:

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VQ1006P Descrizione generale

Featuring a Drain Source Voltage (Vds) of 90V and a Continuous Drain Current (Id) of 2A, the VQ1006P MOSFET can handle moderate power levels with ease. Its On Resistance (Rds(on) of 4.5ohm and Rds(on) Test Voltage (Vgs) of 10V ensure minimal power loss and high efficiency in operation

Caratteristiche principali

Low On-Resistance: 3.6
Low Threshold: 1.6 V
Low Input Capacitance: 35 pF
Fast Switching Speed: 6 ns
Low Input and Output Leakage
BENEFITS
Low Offset Voltage
Low-Voltage Operation
Easily Driven Without Buffer
High-Speed Circuits
Low Error Voltage

Specifiche

Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Configuration	4 N-Channel
FET Feature	Logic Level Gate	Drain to Source Voltage (Vdss)	90V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	400mA	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 25V	Power - Max	2W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole

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