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VQ1000J +BOM

High-Power N-Channel Metal-oxide Semiconductor Field-Effect Transistor

Produttore:

Vishay
ProduttorePart #:

VQ1000J
Scheda dati:

VQ1000J Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Height:

5.08 mm
Length:

19.3 mm
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per VQ1000J

Caratteristiche principali

Low On-Resistance: 2.5 Ω
Low Threshold: 2.1 V
Low Input Capacitance: 22 pF
Fast Switching Speed: 7 ns
Low Input and Output Leakage
BENEFITS
Low Offset Voltage
Low-Voltage Operation
Easily Driven Without Buffer
High-Speed Circuits
Low Error Voltage

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Height	5.08 mm
Length	19.3 mm	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	25	Subcategory	MOSFETs
Width	7.11 mm	Unit Weight	0.057144 oz

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