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VQ1001P +BOM
MOSFET QD 30V 0.53A
PDIP-SB-14-
Produttore:
VISHAY SILICONIX
-
ProduttorePart #:
VQ1001P
-
Scheda dati:
-
Part Life Cycle Code:
Obsolete
-
Pin Count:
14
-
ECCN Code:
EAR99
-
Additional Feature:
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
-
EDA/CAD Modelli:
Disponibilità: 5355 PZ
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VQ1001P Descrizione generale
Boasting a drain-source breakdown voltage of 30V and a gate-source voltage of 2.5V, the VQ1001P MOSFET is a reliable component with a continuous drain current of 3A and an on resistance of 1ohm. The 14-pin package offers easy integration into electronic circuits, though it is important to note that this MOSFET is not RoHS compliant
Caratteristiche principali
- Low On-Resistance: 0.85 Ω
- Low Threshold: 1.4 V
- Low Input Capacitance: 38 pF
- Fast Switching Speed: 9 ns
- Low Input and Output Leakage
- BENEFITS
- Low Offset Voltage
- Low-Voltage Operation
- Easily Driven Without Buffer
- High-Speed Circuits
- Low Error Voltage
Specifiche
Part Life Cycle Code | Obsolete | Pin Count | 14 |
Reach Compliance Code | ECCN Code | EAR99 | |
Additional Feature | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | Configuration | SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 30 V | Drain Current-Max (ID) | 0.83 A |
Drain-source On Resistance-Max | 1 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Feedback Cap-Max (Crss) | 35 pF | JESD-30 Code | R-CDIP-T14 |
Number of Elements | 4 | Number of Terminals | 14 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 3 A |
Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | NO |
Terminal Form | THROUGH-HOLE | Terminal Position | DUAL |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
Turn-off Time-Max (toff) | 30 ns | Turn-on Time-Max (ton) | 30 ns |
Politiche di servizio e altro
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
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In Stock: 5.355
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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