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US6M2TR +BOM

MOSFET N+P 20V 1.5A/1A

Produttore:

Rohm Semiconductor
ProduttorePart #:

US6M2TR
Scheda dati:

US6M2TR Scheda dati (PDF)
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

N and P-Channel
Drain To Source Voltage (Vdss):

30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

1.5A, 1A
EDA/CAD Modelli:

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US6M2TR Descrizione generale

Moreover, US6M2TR sets forth standards for packaging, labeling, and documentation processes, all of which are vital in ensuring the proper identification and tracking of transported goods. By providing clear specifications for these key components, the document contributes to the overall efficiency and accountability of military logistics

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Configuration	N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V, 20V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.5A, 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	240mOhm @ 1.5A, 4.5V	Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.2nC @ 4.5V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	80pF @ 10V
Power - Max	1W	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	US6M2

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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