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US5U30TR +BOM

MOSFET P-CH 20V 1A

Produttore:

ROHM Semiconductor
ProduttorePart #:

US5U30TR
Scheda dati:

US5U30TR Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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US5U30TR Descrizione generale

P-Channel 20 V 1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT5

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	1 A	Rds On - Drain-Source Resistance	280 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V
Qg - Gate Charge	2.1 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1 W
Channel Mode	Enhancement	Series	US5U30
Configuration	Single	Fall Time	10 ns
Height	0.85 mm	Length	2.9 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	8 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	25 ns
Typical Turn-On Delay Time	9 ns	Width	1.6 mm
Part # Aliases	US5U30	Unit Weight	0.000212 oz

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