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US6M1TR +BOM

4V Drive N-channel MOSFET + 2.5V Drive P-channel MOSFET

Produttore:

Rohm Semiconductor
ProduttorePart #:

US6M1TR
Scheda dati:

US6M1TR Scheda dati (PDF)
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

N and P-Channel
FET Feature:

Logic Level Gate
Drain To Source Voltage (Vdss):

30V, 20V
EDA/CAD Modelli:

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US6M1TR Descrizione generale

These radios are designed to operate in harsh and challenging environments, ensuring that they can withstand extreme temperatures, rough terrain, and interference from hostile forces. Their lightweight and portable design make them ideal for use by soldiers in the field, while their ease of operation further enhances their utility in mission-critical situations

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Configuration	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate	Drain to Source Voltage (Vdss)	30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.4A, 1A	Rds On (Max) @ Id, Vgs	240mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	70pF @ 10V	Power - Max	1W
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	US6M1

Politiche di servizio e altro

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..