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UF3SC065030B7S +BOM

TO-263-7 packaged SiCFET (Silicon Carbide Field-Effect Transistor) rated at 650 volts with a 30 milliohm on-state resistance, utilizing G3 technology

UF3SC065030B7S Descrizione generale

N-Channel 650 V 62A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount D2PAK-7

QORVO inventario
QORVO Stock originale

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