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UF3C065030K4S +BOM

Silicon Carbide FET capable of handling 650 volts and offering a resistance of 27 milliohms

Produttore:

Qorvo
ProduttorePart #:

UF3C065030K4S
Scheda dati:

UF3C065030K4S Scheda dati (PDF)
Technology:

SiC
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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UF3C065030K4S Descrizione generale

The UF3C065030K4S from UnitedSiC represents a significant leap forward in power semiconductor technology. Its high voltage rating, low on-resistance, and enhanced thermal management capabilities make it an ideal choice for high-power applications where efficiency and reliability are crucial. Whether it's powering motor drives, electric vehicles, or renewable energy systems, the UF3C065030K4S stands out as a top performer in the field of SiC power devices

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	SiC
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	650 V
Id - Continuous Drain Current	85 A	Rds On - Drain-Source Resistance	35 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 25 V, + 25 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4 V
Qg - Gate Charge	51 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	441 W
Channel Mode	Enhancement	Qualification	AEC-Q101
Tradename	SiC FET	Series	UF3C
Configuration	Single	Fall Time	12 ns
Product Type	MOSFET	Rise Time	31 ns
Factory Pack Quantity	30	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	48 ns
Typical Turn-On Delay Time	25 ns	Unit Weight	0.211644 oz

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