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UF3C120040K3S +BOM
P-Channel 1200 V 65A Through Hole TO-247-3
TO-247-3-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
UF3C120040K3S
-
Scheda dati:
-
Technology:
SiC
-
Mounting Style:
Through Hole
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Transistor Polarity:
N-Channel
-
Number Of Channels:
1 Channel
-
EDA/CAD Modelli:
Disponibilità: 7072 PZ
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UF3C120040K3S Descrizione generale
This cascode MOSFET distinguishes itself with a remarkably low on-state resistance of 75 mΩ and a gate charge of 43 nC, enabling rapid switching and minimized power dissipation. Moreover, its high avalanche energy rating of 33 mJ sets a new standard for resilience under transient conditions, guaranteeing uninterrupted operation even in the face of high-energy spikes. From power supplies to electric vehicles, the UF3C120040K3S excels in a plethora of applications thanks to its rugged design and adherence to industry standards
Specifiche
Product Category | MOSFET | Technology | SiC |
Mounting Style | Through Hole | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1.2 kV |
Id - Continuous Drain Current | 65 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 45 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 25 V, + 25 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
Qg - Gate Charge | 51 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 175 C | Pd - Power Dissipation | 429 W |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | SiC FET |
Series | UF3C | Configuration | Single |
Product Type | MOSFET | Factory Pack Quantity | 30 |
Subcategory | MOSFETs | Unit Weight | 0.211644 oz |
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In Stock: 7.072
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